語言
Epi RP 300 Compass HP? 是美高梅集團4688am面向 12 英寸硅基外延市場自主研發(fā)的減壓外延產(chǎn)品，創(chuàng)新的 Compass HP 平臺可靈活配置 1 到 4 個外延腔，集成至多 2 個預清洗腔，滿足差異化的產(chǎn)能需求和工藝要求。
Epi RP 300 Compass HP? 可應用于先進制程邏輯器件的 PMOS 和 NMOS 的源極 (Source)、漏極 (Drain) 和溝道（channel），以及功率器件和存儲區(qū)間中深槽的填充，適用于多種外延生長材料，如硅、硅鍺、硅磷等。
美高梅集團4688am自主設計研發(fā)的進氣模塊和多區(qū)加熱模塊，實現(xiàn)了溫度的快速升降和溫度場的精確控制，使系統(tǒng)具備優(yōu)異的工藝重復性和設備穩(wěn)定性，從而獲得良好的厚度均勻性、電阻率均勻性，零滑移線和低缺陷密度的外延層生長。
投放市場后，Epi RP 300 Compass HP? 已獲得多家主流 Fab 的青睞，整體性能表現(xiàn)媲美主流產(chǎn)品，并在部分核心參數(shù)上達到國際領先水平。
產(chǎn)品特點
Compass八邊平臺設計，具備高效且靈活的生產(chǎn)配置能力
自主研發(fā)的多區(qū)溫控模組實現(xiàn)各溫區(qū)的精準控溫和溫度均勻分布
自主研發(fā)的獨立多區(qū)進氣系統(tǒng)改善薄膜均一性
腔體微縮化設計
一體集成預清洗系統(tǒng)
智能化軟件控制平臺，實現(xiàn)對單個工藝腔體實時獨立控制
基于硅基減壓外延設備 Epi RP 300 Compass HP?，美高梅集團4688am研發(fā)了適用于外延片、功率器件和 MEMS 加工的硅基常壓外延設備 Epi ATM 300 Compass HP?。Compass HP 平臺使其可以根據(jù)需求配置 1 到 4 個常壓外延腔，憑借美高梅集團4688am自研的壓控 FRC 技術(shù)及獨立多區(qū)進氣模組，本設備能夠沉積更高厚度的薄膜，并具有極高的沉積速率。沉積的硅或硅鍺薄膜具有極致的晶圓中心到邊緣（center-to-edge）的厚度均一性。
產(chǎn)品特點
獨立多區(qū)進氣模組帶來了極致的薄膜厚度均一性和電阻率分布均勻
間隙隔離式多區(qū)控溫模組使晶圓邊緣溫度和邊緣薄膜厚度得到優(yōu)異控制
分布式智能軟件控制平臺，使每個工藝腔獨立運行同時具有智能化的傳片邏輯，可視化的多參數(shù)顯示
