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E-Focus是美高梅集團(tuán)4688am獨(dú)立研發(fā)的12英寸深硅刻蝕設(shè)備，具有自主知識產(chǎn)權(quán)，可實(shí)現(xiàn)高深寬比的硅通孔和溝槽刻蝕，最多可同時(shí)掛載6個(gè)獨(dú)立的反應(yīng)腔，產(chǎn)能更大，CoO更小。
E-Focus深硅刻蝕設(shè)備廣泛應(yīng)用2.5D&3D封裝、TSV刻蝕、CMOS圖像傳感器（CIS）、深溝槽隔離（DTI）、深溝槽電容（DTC）、功率器件硅溝槽刻蝕、MEMS溝槽刻蝕等領(lǐng)域。該設(shè)備搭配先進(jìn)的工藝實(shí)時(shí)監(jiān)測系統(tǒng)，同時(shí)配合EtherCAT通信方式，響應(yīng)更快，沉積和刻蝕的切換周期更短。
E-Focus應(yīng)用了多種先進(jìn)設(shè)計(jì)，如分區(qū)進(jìn)氣系統(tǒng)、對稱腔體結(jié)構(gòu)、高功率等離子源、快速氣體切換系統(tǒng)、和準(zhǔn)確離子能量控制等，為工藝提供了更多的可能性和可調(diào)性。
產(chǎn)品特點(diǎn)
兼容Bosch和Non-Bosch工藝
晶圓邊緣保護(hù)環(huán)
多參數(shù)Ramp功能
對稱的腔體結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)
PRC+ Compass HP 是美高梅集團(tuán)4688am基于12 英寸先進(jìn)工藝技術(shù)及量產(chǎn)規(guī)模下自主開發(fā)的預(yù)清潔設(shè)備, 可實(shí)現(xiàn)超高選擇性刻蝕及表面預(yù)清潔能力, 最多可同時(shí)掛載6個(gè)獨(dú)立的反應(yīng)腔體, 同時(shí)可為前中后段進(jìn)行開發(fā)滿足工藝需求并做靈活搭配, 讓產(chǎn)能最大化, CoO更低。
PRC+ Compass HP自主設(shè)計(jì)開發(fā)的進(jìn)氣模塊、腔體溫控模式、腔體材質(zhì)組成等, 為工藝提供較佳的刻蝕均勻性、優(yōu)異的刻蝕形貌及穩(wěn)定性, 減少 Particle 產(chǎn)生。
PRC+ Compass HP 可應(yīng)用于多元材料的高選擇性刻蝕、高深寬比垂直刻蝕、圖形刻蝕, 為工藝提供更多的可調(diào)性, 滿足不同場景的應(yīng)用。
產(chǎn)品特點(diǎn)
六邊平臺設(shè)計(jì), 具備高效且靈活的生產(chǎn)配置能力
高效的溫控系統(tǒng), 提升刻蝕速率及穩(wěn)定性
新噴淋頭氣路結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì), 提升刻蝕均勻性
高溫噴淋頭控制, 降低腔體殘留物并漸少腔體損傷
一體集成多腔預(yù)清潔系統(tǒng), 實(shí)現(xiàn)不同工藝預(yù)清潔組合
