語(yǔ)言
隨著IC制造向更小特征線(xiàn)寬尺寸和更薄外延層的發(fā)展，集成電路器件對(duì)于外延片的質(zhì)量要求不斷增加，先進(jìn)邏輯和存儲(chǔ)工藝的推進(jìn)，開(kāi)辟出更多外延工藝的應(yīng)用場(chǎng)景，也對(duì)外延系統(tǒng)的功能和外延性能提出了更高的要求。
Epi RP 300 Compass HP
Epi RP 300 Compass HP是一款針對(duì)先進(jìn)邏輯代工與存儲(chǔ)，以及功率器件中的外延工藝應(yīng)用需求的減壓外延設(shè)備，具有先進(jìn)的紅外加熱控制技術(shù)和加熱模塊設(shè)計(jì)，可實(shí)現(xiàn)溫度的快速升降和溫度場(chǎng)的精確控制，使系統(tǒng)具備優(yōu)異的工藝重復(fù)性和設(shè)備穩(wěn)定性，從而獲得良好的厚度均勻性、電阻率均勻性，零滑移線(xiàn)和低缺陷密度的外延層生長(zhǎng)。可滿(mǎn)足工藝均勻性控制、低晶體缺陷、低摻雜和顆粒密度可控性強(qiáng)的要求。
Epi ATM 300 Compass HP
Epi ATM 300 Compass HP是一款針對(duì)外延片、MEMS和功率器件，如IGBT的生產(chǎn)制造，而設(shè)計(jì)的常壓外延設(shè)備。該設(shè)備為我公司自主研發(fā)，擁有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)的設(shè)備，配備了先進(jìn)的進(jìn)氣模塊，擁有極致的沉積速率。
我們不僅提供高穩(wěn)定性、高產(chǎn)出的工藝機(jī)臺(tái)以及備品備件和售后服務(wù)，同時(shí)可提供相關(guān)的工藝解決方案。
E-Focus是美高梅集團(tuán)4688am獨(dú)立研發(fā)的12英寸深硅刻蝕設(shè)備，具有自主知識(shí)產(chǎn)權(quán)，可實(shí)現(xiàn)高深寬比的硅通孔和溝槽刻蝕。搭配octave平臺(tái)，最多可同時(shí)掛載6個(gè)獨(dú)立的反應(yīng)腔，產(chǎn)能更大，CoO更小。E-Focus深硅刻蝕設(shè)備廣泛應(yīng)用2.5D&3D封裝、CMOS圖像傳感器（CIS）、深溝槽電容（DTC）、功率器件硅溝槽刻蝕、MEMS溝槽刻蝕等領(lǐng)域。設(shè)備搭配先進(jìn)的工藝實(shí)時(shí)監(jiān)測(cè)系統(tǒng)和快速等離子體切換系統(tǒng)，同時(shí)采用統(tǒng)一的EtherCAT通信方式，響應(yīng)更快，沉積和刻蝕的切換周期更短。E-Focus應(yīng)用了多種先進(jìn)設(shè)計(jì)，如分區(qū)進(jìn)氣系統(tǒng)、對(duì)稱(chēng)腔體結(jié)構(gòu)、高功率等離子源、快速氣體切換系統(tǒng)、和準(zhǔn)確離子能量控制等，為工藝提供了更多的可能性和可調(diào)性，可實(shí)現(xiàn)高度的刻蝕均勻性和優(yōu)異的刻蝕形貌。
PRC+ Compass HP 是美高梅集團(tuán)4688am基于12 英寸先進(jìn)工藝技術(shù)及量產(chǎn)規(guī)模下自主開(kāi)發(fā)的預(yù)清潔設(shè)備, 可實(shí)現(xiàn)超高選擇性刻蝕及表面預(yù)清潔能力, 最多可同時(shí)掛載6個(gè)獨(dú)立的反應(yīng)腔體, 同時(shí)可為前中后段進(jìn)行開(kāi)發(fā)滿(mǎn)足工藝需求并做靈活搭配, 讓產(chǎn)能最大化, CoO更低。PRC+ Compass HP自主設(shè)計(jì)開(kāi)發(fā)的進(jìn)氣模塊、腔體溫控模式、腔體材質(zhì)組成等, 為工藝提供較佳的刻蝕均勻性、優(yōu)異的刻蝕形貌及穩(wěn)定性, 減少 Particle 產(chǎn)生。PRC+ Compass HP 可應(yīng)用于多元材料的高選擇性刻蝕、高深寬比垂直刻蝕、圖形刻蝕, 為工藝提供更多的可調(diào)性, 滿(mǎn)足不同場(chǎng)景的應(yīng)用。
